Siliciumcarbidsubstrat, Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Siliciumcarbidsubstrats

EP2432000 Art A1 21. März 2012

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2432000
Aktenzeichen: EP10774826
Anmeldetag: 27. April 2010
Veröffentlichung: 21. März 2012
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02H01L21/20C30B29/36H01L29/78C30B23/00C30B33/06H01L29/04H01L29/739H01L29/16H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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