Vorrichtung zur Herstellung von Halbleiterbauelementen
EP2432007
Art A3
22. März 2017
Anmelder: Soitec, S.O.I. TEC Silicon 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2432007
- Aktenzeichen
- EP11009599
- Anmeldetag
- 20. Juni 2011
- Veröffentlichung
- 22. März 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/67H01L25/00B32B38/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I. TEC Silicon - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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