Prozess zur Bildung einer Gitterelektrode auf der Vorderseite eines Siliciumwafers
EP2433306
Art A1
28. März 2012
Anmelder: E. I. du Pont de Nemours and Company 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2433306
- Aktenzeichen
- EP10722879
- Anmeldetag
- 20. Mai 2010
- Veröffentlichung
- 28. März 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L31/0224H01B1/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- E. I. du Pont de Nemours and Company
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
DuPont
US-amerikanischer Chemie- und Materialkonzern mit Sitz in Wilmington, Delaware. DuPont entwickelt Spezialchemikalien, Polymere, Elektronikmaterialien sowie Werkstoffe für Industrie, Bauwesen, Elektronik und Gesundheitswesen.
7.829 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
de Bresser, Sara Jean
London, Großbritannien
317
Patente gesamt
26
Fachgebiete
10
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Hoffmann, Benjamin
NoneLondon
-
DuPont Performance Coatings Biering/Blum/Kimpel
DuPont Performance Coatings Biering/Blum/Kimpel · Wuppertal