Systeme und Verfahren zur Bildung von Halbleitermaterialien durch Atomschichtabscheidung
EP2436801
Art B1
8. Mai 2013
Anmelder: Soitec 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2436801
- Aktenzeichen
- EP11183538
- Anmeldetag
- 30. September 2011
- Veröffentlichung
- 8. Mai 2013
- Erteilung
- 8. Mai 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C23C16/30C23C16/448C23C16/455C30B25/02C30B29/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Soitec
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Fachgebiete
Vertreten von
Collin, Jérôme
Paris, Frankreich
478
Patente gesamt
32
Fachgebiete
21
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Regimbeau
Regimbeau · Rennes