Verfahren zur Herstellung eines Sos-Substrat mit Geringer Oberflächendefektdichte
EP2437281
Art B1
18. Juni 2014
Anmelder: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2437281
- Aktenzeichen
- EP10780542
- Anmeldetag
- 25. Mai 2010
- Veröffentlichung
- 18. Juni 2014
- Erteilung
- 18. Juni 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02H01L21/265H01L27/12H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Chemical
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.
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Vertreten von
Martin, Didier Roland Valéry
Charbonnières-les-Bains, Frankreich
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