Verfahren zum Herstellen eines Sos-Substrat mit Geringer Oberflächendefektdichte in Schnittstellennähe
EP2437282
Art B1
4. März 2015
Anmelder: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2437282
- Aktenzeichen
- EP10780543
- Anmeldetag
- 25. Mai 2010
- Veröffentlichung
- 4. März 2015
- Erteilung
- 4. März 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02H01L21/265H01L27/12H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Chemical
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.
4.655 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Martin, Didier Roland Valéry
Charbonnières-les-Bains, Frankreich
317
Patente gesamt
30
Fachgebiete
14
Anmelder-Länder
Schwerpunkte