GaN-einkristallines Substrat

EP2437286 Art A1 4. April 2012

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd., Institute of Materials Research and Engineering 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2437286
Aktenzeichen: EP11195922
Anmeldetag: 13. Mai 2003
Veröffentlichung: 4. April 2012
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/324H01L21/20C30B29/40C30B25/02H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Institute of Materials Research and Engineering
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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