Tunnelfeldeffekttransistor

EP2439777 Art B1 14. August 2013

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2439777
Aktenzeichen
EP10187157
Anmeldetag
11. Oktober 2010
Veröffentlichung
14. August 2013
Erteilung
14. August 2013
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/739H01L21/329
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
NXP B.V.
Land
🇳🇱 Niederlande
🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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