Widerstandsvariable Speicherzellen mit erhöhter Speicherdichte, Arrays, Vorrichtungen und Systeme damit sowie Verfahren zu deren Herstellung

EP2439800 Art B1 24. Juli 2013

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2439800
Aktenzeichen: EP11192537
Anmeldetag: 6. August 2007
Veröffentlichung: 24. Juli 2013
Erteilung: 24. Juli 2013
Rechtsraum: EP
IPC: H01L45/00H01L27/24

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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