Gatestapel-Struktur für eine Halbleiter-Flash-Speichervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
EP2442364
Art A1
18. April 2012
Anmelder: Fudan University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2442364
- Aktenzeichen
- EP11789049
- Anmeldetag
- 24. Mai 2011
- Veröffentlichung
- 18. April 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/49H01L21/285H01L27/115H01L29/423H01L29/66H01L29/792B82Y10/00C23C16/40C23C16/455H01L21/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Fudan University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Fudan University
Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.
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Kanzlei
Withers & Rogers
München, Deutschland
Withers & Rogers zählt zu Europas größten IP-Kanzleien und ist neben Großbritannien auch in Paris und seit 2019 in München vertreten. Ihre erklärte Aufgabe: Mandanten den oft unübersichtlichen europäischen IP-Schutz verständlich zu machen.
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