Variable Speicherzellen mit erhöhter Speicherdichteresistenz, Arrays, Vorrichtungen und Systeme damit sowie Verfahren zu deren Herstellung

EP2442377 Art B1 6. Mai 2015

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2442377
Aktenzeichen: EP11192538
Anmeldetag: 6. August 2007
Veröffentlichung: 6. Mai 2015
Erteilung: 6. Mai 2015
Rechtsraum: EP
IPC: H01L45/00H01L27/24

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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