Verfahren zu eines Halbleiterbauelements
EP2444998
Art A2
25. April 2012
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2444998
- Aktenzeichen
- EP12151269
- Anmeldetag
- 26. März 2008
- Veröffentlichung
- 25. April 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/786H01L29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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