Passivierungsschichtstruktur eines Halbleiterbauelements und Herstellungsverfahren dafür
EP2448002
Art B1
11. Mai 2016
Anmelder: Industrial Technology Research Institute 🇹🇼
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2448002
- Aktenzeichen
- EP11003196
- Anmeldetag
- 15. April 2011
- Veröffentlichung
- 11. Mai 2016
- Erteilung
- 11. Mai 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L31/0216H01L31/18H01L31/048C01F7/30C23C18/12H01L21/02H01L31/068
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Industrial Technology Research Institute
- Land
- 🇹🇼 Taiwan
🇹🇼
Industrial Technology Research Institute
Taiwanisches Forschungsinstitut für angewandte Technologie, entwickelt und überträgt Innovationen aus Elektronik, Materialwissenschaft und Industrietechnik in die Wirtschaft.
734 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Hruschka, Jürgen
München, Deutschland
51
Patente gesamt
22
Fachgebiete
8
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Habermann, Hruschka & Schnabel
Habermann, Hruschka & Schnabel · München