Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung mit Feuchtigkeitsbarriere, integrierte Schaltung und Vorrichtung

EP2450308 Art B1 12. Juni 2013

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2450308
Aktenzeichen
EP10190268
Anmeldetag
5. November 2010
Veröffentlichung
12. Juni 2013
Erteilung
12. Juni 2013
Rechtsraum
EP
IPC
B81B7/00
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
NXP B.V.
Land
🇳🇱 Niederlande
🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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