Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelement

EP2452362 Art B1 6. September 2017

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2452362
Aktenzeichen: EP10797035
Anmeldetag: 22. Juni 2010
Veröffentlichung: 6. September 2017
Erteilung: 6. September 2017
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/786H01L29/66H01L27/12H01L21/477

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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