Bondingverfahren mit einer Bondingschicht auf Zink-, Silikon- und Sauerstoffbasis und Entsprechende Strukturen
EP2454761
Art A1
23. Mai 2012
Anmelder: Soitec 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2454761
- Aktenzeichen
- EP10730930
- Anmeldetag
- 22. Juni 2010
- Veröffentlichung
- 23. Mai 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L31/18H01L33/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Soitec
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Vertreten von
Collin, Jérôme
Paris, Frankreich
478
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Regimbeau · Rennes