Verfahren zur Bildung einer versenkten dielektrischen Schicht unter einer Halbleiterlamelle
EP2455967
Art B1
23. Mai 2018
Anmelder: IMEC VZW, IMEC 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2455967
- Aktenzeichen
- EP11152112
- Anmeldetag
- 25. Januar 2011
- Veröffentlichung
- 23. Mai 2018
- Erteilung
- 23. Mai 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762H01L27/11521H01L21/8234
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- IMEC VZW
IMEC - Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
imec
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
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