Verfahren zur Herstellung von Halbleiterstrukturen und -Bauelementen mit Quantenpunktstrukturen und Entsprechende Strukturen
EP2457257
Art B9
26. März 2014
Anmelder: Soitec 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2457257
- Aktenzeichen
- EP10720517
- Anmeldetag
- 26. Mai 2010
- Veröffentlichung
- 26. März 2014
- Erteilung
- 26. März 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L31/0304H01L31/0352H01L31/04H01L31/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Soitec
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Fachgebiete
Vertreten von
Collin, Jérôme
Paris, Frankreich
478
Patente gesamt
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Fachgebiete
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Weitere Vertreter
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Regimbeau
Regimbeau · Rennes