Verfahren zur Herstellung von Halbleiterstrukturen und -Bauelementen mit Quantenpunktstrukturen und Entsprechende Strukturen

EP2457257 Art B9 26. März 2014

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2457257
Aktenzeichen
EP10720517
Anmeldetag
26. Mai 2010
Veröffentlichung
26. März 2014
Erteilung
26. März 2014
Rechtsraum
EP
IPC
H01L31/0304H01L31/0352H01L31/04H01L31/18
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Soitec
Land
🇫🇷 Frankreich
🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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