Gekapselter HF Transistor mit speziellen Spannungsversorgungsanschlüssen

EP2463905 Art B1 1. Oktober 2014

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2463905
Aktenzeichen
EP10252098
Anmeldetag
10. Dezember 2010
Veröffentlichung
1. Oktober 2014
Erteilung
1. Oktober 2014
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/66H03F1/42
Offizieller Volltext

Abstract

The invention relates to a packaged RF transistor (501) with distinct output leads. While a first lead (RF lead) is used for providing an RF output signal, a second lead (Extra lead) is used for applying a supply voltage to the RF transistor. The output (drain) of the RF transistor is connected to these leads via bond wires (505,506). In order to improve the RF decoupling, a transmission line is used for providing the supply voltage, wherein the transmission line may comprise a pair of parallel conductors.

Anmelder

Firma
NXP B.V.
Land
🇳🇱 Niederlande
🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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