Relaxation und Übertragung von Spannungsmaterialschichten
EP2466626
Art A3
4. Juli 2012
Anmelder: Soitec 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2466626
- Aktenzeichen
- EP12001190
- Anmeldetag
- 19. Februar 2009
- Veröffentlichung
- 4. Juli 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20H01L21/02H01L21/762C30B29/38C30B33/02C30B33/06C30B29/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Soitec
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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