Verfahren zur direkten Bindung von Halbleiterstrukturen und gebundene Halbleiterstrukturen, die mit diesen Verfahren gebildet werden
EP2466632
Art A3
4. Juli 2012
Anmelder: Soitec 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2466632
- Aktenzeichen
- EP11193906
- Anmeldetag
- 16. Dezember 2011
- Veröffentlichung
- 4. Juli 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/60H01L23/485
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Soitec
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Fachgebiete
Vertreten von
Collin, Jérôme
Paris, Frankreich
478
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32
Fachgebiete
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Regimbeau
Regimbeau · Rennes