Verfahren zum Herstellen eines Hohlraums für eine Halbleiterstruktur und nach diesem Verfahren hergestelltes Halbleitermikrofon
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2468679
- Aktenzeichen
- EP11195811
- Anmeldetag
- 27. Dezember 2011
- Veröffentlichung
- 3. März 2021
- Erteilung
- 3. März 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- B81C1/00G01L9/00H04R19/00H04R31/00
Abstract
Embodiments show a method for fabricating a cavity structure, a semiconductor structure, a cavity structure for a semiconductor device and a semiconductor microphone fabricated by the same. In some embodiments the method for fabricating a cavity structure comprises providing a first layer, depositing a carbon layer on the first layer, covering at least partially the carbon layer with a second layer to define the cavity structure, removing by means of dry etching the carbon layer between the first and second layer so that the cavity structure is formed.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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