Mems-Vorrichtung mit Stressisolation und Herstellungsverfahren dafür
EP2470467
Art B1
24. Juni 2015
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2470467
- Aktenzeichen
- EP10814136
- Anmeldetag
- 5. August 2010
- Veröffentlichung
- 24. Juni 2015
- Erteilung
- 24. Juni 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- B81B7/02B81C1/00H01L21/02G01P15/125G01P15/08G01P15/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
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Vertreten von
Wray, Antony John
Basingstoke, Großbritannien
604
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24
Fachgebiete
10
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