Tunnelfeldeffekttransistor und Verfahren zu Seiner Herstellung

EP2472585 Art B1 6. Juli 2022

Anmelder: National University Corporation Hokkaido University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2472585
Aktenzeichen: EP10820133
Anmeldetag: 29. September 2010
Veröffentlichung: 6. Juli 2022
Erteilung: 6. Juli 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/739B82Y40/00B82Y10/00H01L29/78H01L29/12H01L21/02H01L21/20H01L29/06H01L29/66C30B25/00C30B29/62C23C16/30C23C16/00H01L29/04H01L29/267

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

🇯🇵 National University Corporation Hokkaido University

Staatliche japanische Universität in Sapporo mit breiter Forschung, u.a. in Agrarwissenschaften, Ingenieurwesen und Materialwissenschaften.

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Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von

Fischer, Volker München, Deutschland

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