Verfahren zur Herstellung des Substrats zur Züchtung von Halbleitern
EP2476787
Art A1
18. Juli 2012
Anmelder: The University of Tokyo, Tokai Carbon Co., Ltd., National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2476787
- Aktenzeichen
- EP10813840
- Anmeldetag
- 7. September 2010
- Veröffentlichung
- 18. Juli 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/38C23C14/06C23C14/14C30B29/06H01L21/203
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- The University of Tokyo
Tokai Carbon Co., Ltd.
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
University of Tokyo
Japanische Universität mit Sitz in Tokio, eine der führenden Forschungsuniversitäten Asiens. Die Universität ist in nahezu allen wissenschaftlichen und technischen Disziplinen aktiv, darunter Materialwissenschaften, Elektrotechnik, Biotechnologie und Medizin.
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🇯🇵
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.
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