Halbleiterbauelement mit einem Halbleitersubstrat mit Diodenregion und Igbt-Region
EP2477226
Art B1
22. Juni 2016
Anmelder: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA, Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2477226
- Aktenzeichen
- EP09849004
- Anmeldetag
- 7. September 2009
- Veröffentlichung
- 22. Juni 2016
- Erteilung
- 22. Juni 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/04H01L21/322H01L21/336H01L21/76H01L21/761H01L21/8234H01L27/06H01L27/08H01L29/739H01L29/78H01L29/32H01L27/07H01L29/861
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA
Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toyota Motor Corporation
Japanischer Automobilhersteller mit Sitz in Toyota City, gegründet 1937. Entwickelt und produziert Pkw, Nutzfahrzeuge, Hybrid- und Wasserstoffantriebe sowie zugehörige Fahrzeugtechnologien.
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