Gruppe-Iii-Nitrid-Kristallsubstrat, Gruppe-Iii-Nitrid-Kristallsubstrat mit Epitaktischer Schicht, Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP2477237
Art B1
9. September 2020
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2477237
- Aktenzeichen
- EP10813531
- Anmeldetag
- 28. Januar 2010
- Veröffentlichung
- 9. September 2020
- Erteilung
- 9. September 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L33/16C30B25/20C30B29/38H01S5/343B82Y20/00C30B29/40C30B33/04H01L33/32H01S5/02H01S5/028H01S5/20H01S5/32
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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