Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP2481089
Art A1
1. August 2012
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2481089
- Aktenzeichen
- EP10818725
- Anmeldetag
- 8. September 2010
- Veröffentlichung
- 1. August 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786H01L29/66H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
4.187 Patente in unserer Datenbank