SRAM-Speicherzelle mit verbesserter Lesestabilität
EP2482285
Art B1
2. Juli 2014
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2482285
- Aktenzeichen
- EP12151635
- Anmeldetag
- 18. Januar 2012
- Veröffentlichung
- 2. Juli 2014
- Erteilung
- 2. Juli 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C8/16G11C11/412
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
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Vertreten von
Wray, Antony John
Basingstoke, Großbritannien
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