Siliciumcarbidblock, Siliciumcarbidsubstrat, Verfahren zur Herstellung des Blocks und des Substrats, Tiegel und Halbleitersubstrat

EP2482307 Art A1 1. August 2012

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2482307
Aktenzeichen: EP10818752
Anmeldetag: 17. September 2010
Veröffentlichung: 1. August 2012
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/20H01L21/336H01L29/12H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.186 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von