Verfahren zur Herstellung eines bipolaren Transistors mit tiefgrabenisoliertem Gate
EP2482321
Art A3
4. Dezember 2013
Anmelder: Power Integrations, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2482321
- Aktenzeichen
- EP12164827
- Anmeldetag
- 18. Dezember 2009
- Veröffentlichung
- 4. Dezember 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/739H01L21/331
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Power Integrations, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Power Integrations
Power Integrations ist ein US-amerikanisches Unternehmen für Halbleiterlösungen in der Leistungselektronik. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf elektrische Energietechnik sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik und Schaltungstechnik. Anmeldungen laufen durchgehend seit dem Jahr 2000.
402 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Peterreins, Frank
München, Deutschland
2.106
Patente gesamt
34
Fachgebiete
30
Anmelder-Länder
Schwerpunkte