Halbleitervorrichtung mit Sauerstoffdiffusionssperrschicht und Herstellungsverfahren dafür
EP2483929
Art A2
8. August 2012
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2483929
- Aktenzeichen
- EP10819201
- Anmeldetag
- 16. August 2010
- Veröffentlichung
- 8. August 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L21/8238H01L21/336H01L29/49H01L29/51
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
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Ferro, Frodo Nunes
Toulouse, Frankreich
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