Verfahren zur Herstellung eines Sic-Einkristalles

EP2484815 Art B1 24. Dezember 2014

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd., Fuji Electric Holdings Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2484815
Aktenzeichen: EP10820359
Anmeldetag: 15. September 2010
Veröffentlichung: 24. Dezember 2014
Erteilung: 24. Dezember 2014
Rechtsraum: EP
IPC: C30B29/36C30B19/04C30B17/00C30B9/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Fuji Electric Co., Ltd.
Fuji Electric Holdings Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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