Gruppe-Iii-Nitrid-Halbleitersubstrat, Epitaktisches Substrat und Halbleitervorrichtung

EP2484818 Art B1 29. April 2020

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2484818
Aktenzeichen: EP10820228
Anmeldetag: 14. Juli 2010
Veröffentlichung: 29. April 2020
Erteilung: 29. April 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/306H01L21/205C30B29/38C23C16/34C30B29/40H01L33/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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