Verfahren zum Glätten der Oberfläche eines Halbleiterwafers

EP2485249 Art B1 16. Mai 2018

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2485249
Aktenzeichen
EP12153906
Anmeldetag
3. Februar 2012
Veröffentlichung
16. Mai 2018
Erteilung
16. Mai 2018
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/268H01L21/302H01L21/324H01L21/762
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Soitec
Land
🇫🇷 Frankreich
🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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