Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür

EP2486593 Art B1 1. Februar 2017

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2486593
Aktenzeichen: EP10821841
Anmeldetag: 9. September 2010
Veröffentlichung: 1. Februar 2017
Erteilung: 1. Februar 2017
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/786H01L29/66H01L29/04H01L29/24H01L29/423H01L29/417H01L29/06

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

4.187 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von