Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP2486596
Art A1
15. August 2012
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2486596
- Aktenzeichen
- EP10821867
- Anmeldetag
- 15. September 2010
- Veröffentlichung
- 15. August 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786G02F1/1368G09F9/30H01L29/49H01L27/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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