Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür

EP2486596 Art A1 15. August 2012

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2486596
Aktenzeichen
EP10821867
Anmeldetag
15. September 2010
Veröffentlichung
15. August 2012
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/786G02F1/1368G09F9/30H01L29/49H01L27/12
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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