Verfahren zur Verdichtung einer Porösen Siliciumcarbidbasis
EP2487143
Art A1
15. August 2012
Anmelder: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2487143
- Aktenzeichen
- EP10822097
- Anmeldetag
- 7. Oktober 2010
- Veröffentlichung
- 15. August 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C04B35/565C04B41/85C04B41/87
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Chemical
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.
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Vertreten von
Hallybone, Huw George
London, Großbritannien
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