Verfahren zur Ausbildung einer Oxidschicht auf einem Halbleiterbauelement
Anmelder: Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V., SCHOTT Solar AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2492954
- Aktenzeichen
- EP12157216
- Anmeldetag
- 28. Februar 2012
- Veröffentlichung
- 6. August 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02H01L31/0216
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
SCHOTT Solar AG - Land
- 🇩🇪 Deutschland
Deutsche gemeinnützige Forschungsorganisation mit Sitz in München. Betreibt anwendungsorientierte Forschung in Technik und Naturwissenschaften über zahlreiche Institute für Industrie und Gesellschaft.
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Fachgebiete
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