Durchkontaktierungen zwischen leitfähigen Schichten zur Verbesserung der Zuverlässigkeit
Anmelder: NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2492960
- Aktenzeichen
- EP12154277
- Anmeldetag
- 7. Februar 2012
- Veröffentlichung
- 13. August 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/522H01L23/528
Abstract
Another semiconductor device includes a first layer (21) including a series of electrically conductive wires (12-20), a second layer (33), a plurality of non-functional via pads (34) are included in the second layer or between the first layer and the second layer. A plurality of dangling vias (40) are included within a specified area of the first layer. The dangling vias connect one or more of the wires in the first layer to a respective one of the via pads.
Anmelder
- Firmen
- NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
1.545 Patente in unserer Datenbank
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
2.392 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
-
Wray, Antony John
NoneBasingstoke