Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP2494601
Art A1
5. September 2012
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2494601
- Aktenzeichen
- EP10826518
- Anmeldetag
- 6. Oktober 2010
- Veröffentlichung
- 5. September 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786G02F1/1368H01L27/12H01L29/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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