Verfahren zur Bildung von III-V-Halbleitermaterialien und durch solche Verfahren gebildete Halbleiterstrukturen
EP2495358
Art A1
5. September 2012
Anmelder: Soitec 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2495358
- Aktenzeichen
- EP12157798
- Anmeldetag
- 1. März 2012
- Veröffentlichung
- 5. September 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B25/16C30B25/18C30B29/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Soitec
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Fachgebiete
Vertreten von
Collin, Jérôme
Paris, Frankreich
478
Patente gesamt
32
Fachgebiete
21
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Schwerpunkte
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Regimbeau
Regimbeau · Rennes