Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP2497115
Art A1
12. September 2012
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2497115
- Aktenzeichen
- EP10828191
- Anmeldetag
- 13. Oktober 2010
- Veröffentlichung
- 12. September 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786G02F1/136G02F1/17G02F1/19H01L27/12H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
4.187 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Schuster, Thomas
München, Deutschland
338
Patente gesamt
32
Fachgebiete
17
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB
NoneMünchen