Behandlungsverfahren einer Struktur vom Typ Halbleiter auf einem Isoliermaterial

EP2498286 Art B1 7. August 2013

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2498286
Aktenzeichen
EP12158624
Anmeldetag
8. März 2012
Veröffentlichung
7. August 2013
Erteilung
7. August 2013
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/762
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Soitec
Land
🇫🇷 Frankreich
🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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