Verfahren zum Formen einer Ge-auf-III/V-auf-Isolator-Struktur
EP2498295
Art A1
12. September 2012
Anmelder: Soitec 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2498295
- Aktenzeichen
- EP12158842
- Anmeldetag
- 9. März 2012
- Veröffentlichung
- 12. September 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786H01L21/20H01L21/762H01L29/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Soitec
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Fachgebiete
Vertreten von
Collin, Jérôme
Paris, Frankreich
478
Patente gesamt
32
Fachgebiete
21
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Regimbeau
Regimbeau · Rennes