Ätzflüssigkeit zur Ätzung einer Siliciumsubstrat-Rückseite durch ein Siliciumdurchgangsverfahren und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips mit einem Siliciumdurchgangspfad Mithilfe der Ätzflüssigkeit
EP2500930
Art A1
19. September 2012
Anmelder: Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2500930
- Aktenzeichen
- EP10828383
- Anmeldetag
- 8. November 2010
- Veröffentlichung
- 19. September 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/306H01L21/768H01L23/48
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Gas Chemical Company
Japanisches Chemieunternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Fokus auf technische Kunststoffe, Methanol und Spezialchemikalien. Der Konzern beliefert unter anderem die Elektronik- und Verpackungsindustrie.
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