Mehrschichtige Strukturen und Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen

EP2500933 Art A1 19. September 2012

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2500933
Aktenzeichen
EP11290124
Anmeldetag
11. März 2011
Veröffentlichung
19. September 2012
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/762
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Soitec
Land
🇫🇷 Frankreich
🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

529 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen