Lateraler Leistungstransistor und Herstellungsverfahren dafür
EP2502275
Art A1
26. September 2012
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2502275
- Aktenzeichen
- EP09804208
- Anmeldetag
- 19. November 2009
- Veröffentlichung
- 26. September 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/778H01L29/417H01L29/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
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Ferro, Frodo Nunes
Toulouse, Frankreich
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