Herstellung dielektrischer Schichten von hoher Qualität aus Siliziumdioxid für STI: Verwendung verschiedener siloxanbasierter Vorläufer für ein mit entfernt erzeugtem Plasma verstärktes HARP-II-Beschichtungsverfahren

EP2503022 Art A1 26. September 2012

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2503022
Aktenzeichen: EP12172229
Anmeldetag: 11. Oktober 2007
Veröffentlichung: 26. September 2012
Rechtsraum: EP
IPC: C23C16/40C23C16/04H01L21/316H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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