Verfahren zur Untersuchung von Defekten, Defektuntersuchung bei Wafern oder mit dem Wafer Hergestellten Halbleiterbauelementen, Qualitätskontrollverfahren für Wafer oder Halbleiterbauelement und Vorrichtung zur Defektuntersuchung
EP2503326
Art A1
26. September 2012
Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2503326
- Aktenzeichen
- EP10831671
- Anmeldetag
- 19. November 2010
- Veröffentlichung
- 26. September 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G01N21/95H01L21/66G01L1/24G01N21/21
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.
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